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718   ELECTRÓNICA


                                      Las consecuencias son que la barrera de potencial queda rebajada respecto de su altura en la
                                   situación de equilibrio (Fig. XXIX-52-b), disminuye la anchura de la zona de transición y, a través
                                   de la unión, se obtiene una corriente de portadores mayoritarios en ambos sentidos que crece rá-
                                   pidamente para incrementos pequeños de la tensión externa. El voltaje de polarización tiene un
                                   valor límite por encima del cual la intensidad de corriente calienta excesivamente la unión y el se-
                                   miconductor queda dañado de forma permanente.
                                      En la POLARIZACIÓN INVERSA el lado P está a potencial negativo respecto al N (Fig. XXIX-53-a).
                                   El campo externo aplicado se opone a la difusión de portadores mayoritarios, éstos son alejados
                                   de la unión con lo que la anchura de la zona de transición aumenta y crece el valor de la barrera
                                   de potencial (Fig. XXIX-53-b). Aumentando la tensión externa a partir de cero, es suficiente un va-
                                   lor muy pequeño para que el campo resultante en el semiconductor anule completamente la difu-
                                   sión de portadores mayoritarios a través de la unión.
                                      Existe, sin embargo, una pequeña corriente de portadores minoritarios (indicada con flechas
                                   en la Fig. XXIX-53-a), mantenida por la producción de pares electrón-hueco en todo el cristal, que
                                   es prácticamente independiente de la tensión inversa. Los valores típicos de la corriente inversa
                                   están, a temperatura ambiente, en la rango de los microamperios.
                                      Una característica importante de la unión PN en polarización inversa es su capacidad. Con este
                                   tipo de polarización la zona de transición está vacía de portadores móviles y flanqueada por dos
                                   zonas con cargas de distinto signo, por lo cual, se comporta como un condensador, cuya capaci-
                                   dad además puede ser considerable ya que la constante dialéctica, e es 16 para el germanio y 12
                                                                                        r
                                   para el silicio. Por otra parte, una disminución del voltaje de polarización produce una reducción
                                   de la zona vacía de portadores; de la misma forma, un aumento de esa tensión ocasiona un en-
                                   sanchamiento de dicha zona. Como la capacidad de un condensador depende de la distancia en-
                                   tre armaduras, la unión PN puede emplearse como condensador variable controlado por una ten-
       Fig. XXIX-52.– a) Polarización direc-
       ta del diodo. b) Efecto de la polariza-  sión, denominándose VARICAP al diodo semiconductor construido con esa finalidad.
       ción directa sobre el potencial.
                                   XXII – 32. El diodo de unión como rectificador. Curva característica
                                      Como acabamos de ver, el diodo de unión, cuyo símbolo en circuitos es el de la Fig. XXIX-54,
                                   muestra un comportamiento asimétrico en lo que respecta al paso de corriente, que recuerda al de
                                   la válvula diodo. En efecto, en polarización directa permite el paso de corriente presentando una
                                   resistencia baja y en polarización inversa su resistencia es muy elevada y la intensidad de corriente
                                   muy pequeña.
                                      Este comportamiento se refleja en la curva experimental tensión-intensidad de las Fig. XXIX-54
                                   y XXIX-55, en la primera de las cuales hay que advertir las distintas escalas empleadas para pola-
                                   rización directa e inversa. Las curvas experimentales responden muy aproximadamente a la ecua-
                                   ción V-I del diodo ideal, que incluimos sin demostrar:

                                                                  I = d e eV k T  -1i
                                                                     I
                                                                          /
                                                                     S
                                   en la que I se denomina corriente de saturación del diodo de unión y e es la base de los logarit- MUESTRA PARA EXAMEN. PROHIBIDA SU REPRODUCCIÓN. COPYRIGHT EDITORIAL TÉBAR
                                           s
                                   mos neperianos.
                                      Esta ecuación no da cuenta del aumento brusco de intensidad que se produce en polarización
                                   inversa, cuando se alcanza la tensión ruptura. El efecto se debe al fenómeno de MULTIPLICACIÓN EN
                                   AVALANCHA, que tiene la siguiente explicación: el campo eléctrico en la zona de transición aumenta
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                                   al aumentar la tensión inversa; si la intensidad de campo alcanza valores del orden de 10 V/m, los





















       Fig. XXIX-53.– a) Polarización in-  Fig. XXIX-54.– Símbolo del diodo de unión y curva  Fig. XXIX-55.– Zona de polarización
       versa del diodo. b) Efecto de la pola-  característica de un diodo rectificador, comparada con  directa de la curva anterior con esca-
       rización inversa sobre el potencial.  la de un diodo de vacío (en línea discontinua).  la ampliada.
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